产品名称：
英特尔半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目一期扩建工程
浏览量 ：
产品描述
项目名称：英特尔半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目一期扩建工程
项目简介：
该项目建筑面积为159,958平方米,本次投资项目将使大连工厂成为英特尔使用300毫米晶圆的技术，生产非易失性存储器产品的集成电路制造中心。
容量：
LSVG 28800A
所在区域：
辽宁
上一篇
无
下一篇