版权所有:北京英博电气股份有限公司    京ICP备17019712号    网站建设:中企动力 北京

微信公众平台

服务支持

关于我们

解决方案

产品中心

成功案例



 

>
>
>
英特尔半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目一期扩建工程
产品名称:

英特尔半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目一期扩建工程

浏览量
产品描述

项目名称:英特尔半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目一期扩建工程

 

项目简介:

该项目建筑面积为159,958平方米,本次投资项目将使大连工厂成为英特尔全球第一个使用300毫米晶圆的最先进技术,生产最新的非易失性存储器产品的集成电路制造中心。

 

容量:

LSVG 28800A

 

所在区域:

辽宁

上一篇